Προβλέπεται εκτίναξη των βάσεων των πανελλαδικών

Το φαινόμενο να μένουν εκτός των Σχολών επιλογής τους αριστούχοι μαθητές που έγραψαν πολύ καλά αναμένεται να δούμε και φέτος, καθώς οι βάσεις απογειώθηκαν στις περιζήτητες Σχολές.
Αν και η επίσημη ανακοίνωση των βάσεων εισαγωγής θα γίνει στα τέλη του μήνα, φαίνεται πως η αύξηση κατά 40% φέτος των αριστούχων θα δημιουργήσει ισχυρό ανταγωνισμό μεταξύ τους, καθώς τα μόρια στις αποκαλούμενες περιζήτητες σχολές αναμένεται να εκτιναχθούν και έτσι να αφήσουν εκτός Σχολών πολλούς αριστούχους υποψηφίους.
Η Τεχνολογική Κατεύθυνση καταγράφει κατακόρυφη αύξηση της τάξης του 53% σε σχέση με το 2013, με το σύνολο των μαθητών που βαθμολογήθηκαν φέτος με άριστα (18 – 20) να φτάνει τις 7.500. Στη Θετική Κατεύθυνση η αύξηση των αριστούχων αγγίζει το 50%.
Μικρότερη είναι η αύξηση στους αριστούχους της Θεωρητικής Κατεύθυνσης που φτάνει ο 8,6%.
Κατά μέσο όρο οι βάσεις στις υψηλόβαθμες Σχολές όλων των κατευθύνσεων ξεπέρασαν κατά πολύ τα 700 μόρια (πολυτεχνικές και φυσικομαθηματικές σχολές), ενώ εκτόξευση θα παρουσιάσουν όλες οι Ιατρικές σχολές.
Ωστόσο την είσοδό τους σε πανεπιστημιακές Σχολές θα δουν και όσοι μαθητές έχουν συμπληρώσει λιγότερα από 12.000 μόρια, όπως και πολλά χαμηλόβαθμα ΤΕΙ θα παρουσιάσουν πτώση της τάξης των 2.350 μορίων, εξασφαλίζοντας εισαγωγή σε μαθητές με ιδιαίτερα χαμηλή βαθμολογία.
Μικρότερη είναι η άνοδος σε νομικές, οικονομικές και φιλοσοφικές σχολές, ενώ κατακόρυφη πτώση θα παρουσιάσουν
Μικρότερη εκτιμάται ότι θα είναι η άνοδος των βάσεων εισαγωγής στις νομικές και φιλολογικές σχολές, καθώς και στις οικονομικές σχολές.
Στον αντίποδα, πτώση των βάσεων αναμένεται να σημειωθεί σε αρκετές μεσαίες και χαμηλόβαθμες σχολές πανεπιστημίων, ενώ «βουτιά» θα κάνουν τα περισσότερα τμήματα ΤΕΙ, όπου, στα πλέον χαμηλόβαθμα, π.χ. Τουριστικών Επαγγελμάτων, αναμένεται να υπάρξουν και κενές θέσεις. Μικρότερη αναμένεται η πτώση των βάσεων στα χαμηλόβαθμα πανεπιστημιακά τμήματα του 2ου και του 4ου επιστημονικού πεδίου, καθώς και στα περισσότερα τμήματα ΤΕΙ του 3ου επιστημονικού πεδίου.